微流體控溫裝置是芯片行業(yè)過(guò)程中比較重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，用戶(hù)使用無(wú)錫冠亞的微流體控溫裝置，需要對(duì)微流體控溫裝置了解清楚，才能更好的進(jìn)行芯片測(cè)試。

　　微流體控溫裝置在生產(chǎn)制造過(guò)程中會(huì)引入各種故障，通常會(huì)引起功能的失效。這些故障通常可以基于芯片設(shè)計(jì)時(shí)插入的Scan Chain，用ATPG（對(duì)于memory用mbist方法，對(duì)于Flash按照vendor的測(cè)試方法設(shè)計(jì)bist）產(chǎn)生測(cè)試Pattern進(jìn)行篩選微流體控溫裝置，從而剔除有功能故障的芯片。

　　除了功能故障之外，*工藝的芯片還會(huì)有時(shí)序故障。Delay test的目的是剔除有Timing related defect 的芯片（即時(shí)序不滿(mǎn)足要求的芯片）。基于Scan-at-speed的策略使用Launch from capture 和Lanuch from shift的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)at-speed測(cè)試。在設(shè)計(jì)層面需要在Scan模式下利用on-chip PLL提供at-speed模式需要的高速工作時(shí)鐘。

　　微流體控溫裝置除了基于功能和時(shí)序的測(cè)試，還需要進(jìn)行基于電流、電壓的測(cè)試來(lái)篩選掉一些“頑固”的芯片。通過(guò)IDDQ測(cè)試，剔除靜態(tài)電流不符合規(guī)范的芯片，通過(guò)Very Low Voltage test可以更容易發(fā)現(xiàn)時(shí)序不滿(mǎn)足的芯片，通過(guò)Stress test（高壓高溫）加速芯片的壽命更容易剔除gate oxide 失效。

　　無(wú)錫冠亞微流體控溫裝置是芯片測(cè)試行業(yè)中常用的測(cè)試設(shè)備，用戶(hù)長(zhǎng)時(shí)間使用微流體控溫裝置之后，想必對(duì)微流體控溫裝置有了更深入的了解。(本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除，謝謝)